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Roving Networks / Microchip Technology / LND150N3-G-P002
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LND150N3-G-P002
| codice articolo del costruttore: | LND150N3-G-P002 |
| Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
| Schede tecniche: | LND150N3-G-P002 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Roving Networks / Microchip Technology LND150N3-G-P002 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 500 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
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