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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SJ438,MDKQ(J

2SJ438,MDKQ(J

codice articolo del costruttore: 2SJ438,MDKQ(J
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET P-CH TO220NIS
Schede tecniche: 2SJ438,MDKQ(J Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie*
PacchettoBulk
Stato della parteObsolete
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione da Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Tj)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
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