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STMicroelectronics / STY112N65M5

STY112N65M5

codice articolo del costruttore: STY112N65M5
Produttore: STMicroelectronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Schede tecniche: STY112N65M5 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
STMicroelectronics STY112N65M5 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieMDmesh™ V
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C96A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16870 pF @ 100 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)625W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreMAX247™
Pacchetto / casoTO-247-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 281

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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