TK155A65Z,S4X

codice articolo del costruttore:	TK155A65Z,S4X
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Schede tecniche:	TK155A65Z,S4X Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	DTMOSVI
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 730µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1635 pF @ 300 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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