R6010ANX

codice articolo del costruttore:	R6010ANX
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
Schede tecniche:	R6010ANX Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FM
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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