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Vishay / Siliconix / SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

codice articolo del costruttore: SISA24DN-T1-GE3
Produttore: Vishay / Siliconix
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Schede tecniche: SISA24DN-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieTrenchFET® Gen IV
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2650 pF @ 10 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)52W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8
Pacchetto / casoPowerPAK® 1212-8
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 4017

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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