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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G

codice articolo del costruttore: NVD4809NHT4G
Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK-3
Schede tecniche: NVD4809NHT4G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta), 58A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 11.5 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2155 pF @ 12 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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