IPB50R299CPATMA1

codice articolo del costruttore:	IPB50R299CPATMA1
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Schede tecniche:	IPB50R299CPATMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	CoolMOS™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	550 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1.19 pF @ 100 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPZIONI DI ACQUISTO

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