EPC8002

codice articolo del costruttore:	EPC8002
Produttore:	EPC
Parte della descrizione:	GANFET N-CH 65V 2A DIE
Schede tecniche:	EPC8002 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	eGaN®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	65 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21 pF @ 32.5 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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