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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

codice articolo del costruttore: TK35N65W,S1F
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Schede tecniche: TK35N65W,S1F Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieDTMOSIV
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 300 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)270W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 10

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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