XK1R9F10QB,LXGQ

codice articolo del costruttore:	XK1R9F10QB,LXGQ
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Schede tecniche:	XK1R9F10QB,LXGQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSX-H
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.92mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SM(W)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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