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TSC (Taiwan Semiconductor) / TSM60N600CI C0G
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TSM60N600CI C0G
| codice articolo del costruttore: | TSM60N600CI C0G |
| Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB |
| Schede tecniche: | TSM60N600CI C0G Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- TSC (Taiwan Semiconductor) TSM60N600CI C0G è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tube |
| Stato della parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 743 pF @ 100 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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