SPB21N10

codice articolo del costruttore:	SPB21N10
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Schede tecniche:	SPB21N10 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	SIPMOS®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	865 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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