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Rochester Electronics / FQI7N80TU

FQI7N80TU

codice articolo del costruttore: FQI7N80TU
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Schede tecniche: FQI7N80TU Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieQFET®
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.6A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1.85 pF @ 25 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.13W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK (TO-262)
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 388

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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