BST82,215

codice articolo del costruttore:	BST82,215
Produttore:	Nexperia
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Schede tecniche:	BST82,215 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	190mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	40 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830mW (Tc)
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

OPZIONI DI ACQUISTO

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