STQ2LN60K3-AP

codice articolo del costruttore:	STQ2LN60K3-AP
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Schede tecniche:	STQ2LN60K3-AP Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	SuperMESH3™
Pacchetto	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	600mA (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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