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IR (Infineon Technologies) / SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1

codice articolo del costruttore: SPW11N80C3FKSA1
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Schede tecniche: SPW11N80C3FKSA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieCoolMOS™
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 100 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)156W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3
Pacchetto / casoTO-247-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1441

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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