SIE820DF-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIE820DF-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Schede tecniche:	SIE820DF-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NOTA: Vishay / Siliconix SIE820DF-T1-GE3 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.

Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	10-PolarPAK® (S)
Pacchetto / caso	10-PolarPAK® (S)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 730

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

Modelli popolari

Questo articolo è stato aggiunto al tuo carrello.