STL8P2UH7

codice articolo del costruttore:	STL8P2UH7
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
Schede tecniche:	STL8P2UH7 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2390 pF @ 16 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerFlat™ (2x2)
Pacchetto / caso	6-PowerWDFN

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