SI7810DN-T1-E3

codice articolo del costruttore:	SI7810DN-T1-E3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Schede tecniche:	SI7810DN-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1244

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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