SIHD6N62ET1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIHD6N62ET1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Schede tecniche:	SIHD6N62ET1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	E
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	620 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	578 pF @ 100 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2000

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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