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Vishay / Siliconix / SI5475DC-T1-E3

SI5475DC-T1-E3

codice articolo del costruttore: SI5475DC-T1-E3
Produttore: Vishay / Siliconix
Parte della descrizione: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Schede tecniche: SI5475DC-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieTrenchFET®
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteObsolete
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
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Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

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