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codice articolo del costruttore: | NTD3808N-1G |
Produttore: | Rochester Electronics |
Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK |
Schede tecniche: | NTD3808N-1G Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Tube |
Stato della parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 16 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 76A (Tc) |
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.66 pF @ 12 V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Stato delle scorte: 7275
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
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