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Rochester Electronics / FDFM2N111

FDFM2N111

codice articolo del costruttore: FDFM2N111
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
Schede tecniche: FDFM2N111 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SeriePowerTrench®
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds273 pF @ 10 V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1.7W (Ta)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreMicroFET 3x3mm
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 22145

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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