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Rochester Electronics / FDFM2N111
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FDFM2N111
| codice articolo del costruttore: | FDFM2N111 |
| Produttore: | Rochester Electronics |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET |
| Schede tecniche: | FDFM2N111 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Rochester Electronics FDFM2N111 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | PowerTrench® |
| Pacchetto | Bulk |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 20 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 273 pF @ 10 V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroFET 3x3mm |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: 22145
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
||
Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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