TPN3300ANH,LQ

codice articolo del costruttore:	TPN3300ANH,LQ
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Schede tecniche:	TPN3300ANH,LQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSVIII-H
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	880 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 27W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

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