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STMicroelectronics / STP50N65DM6

STP50N65DM6

codice articolo del costruttore: STP50N65DM6
Produttore: STMicroelectronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 650V 33A TO220
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
STMicroelectronics STP50N65DM6 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieMDmesh™
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 100 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 100

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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