TK60P03M1,RQ(S

codice articolo del costruttore:	TK60P03M1,RQ(S
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Schede tecniche:	TK60P03M1,RQ(S Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSVI-H
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	63W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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