RUC002N05HZGT116

codice articolo del costruttore:	RUC002N05HZGT116
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Schede tecniche:	RUC002N05HZGT116 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	25 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SST3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2478

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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