NTD14N03R-001

codice articolo del costruttore:	NTD14N03R-001
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Schede tecniche:	NTD14N03R-001 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	115 pF @ 20 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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