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Rochester Electronics / BSC091N03MSCGATMA1

BSC091N03MSCGATMA1

codice articolo del costruttore: BSC091N03MSCGATMA1
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Schede tecniche: BSC091N03MSCGATMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie*
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione da Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 35000

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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