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Rochester Electronics / IRFSL4510PBF

IRFSL4510PBF

codice articolo del costruttore: IRFSL4510PBF
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 100V 61A TO262
Schede tecniche: IRFSL4510PBF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieHEXFET®
PacchettoBulk
Stato della parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C61A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.9mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3.18 pF @ 50 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

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