RV8C010UNHZGG2CR

codice articolo del costruttore:	RV8C010UNHZGG2CR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Schede tecniche:	RV8C010UNHZGG2CR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	40 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1010-3W
Pacchetto / caso	3-XFDFN

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