2SK669-AC

codice articolo del costruttore:	2SK669-AC
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
Schede tecniche:	2SK669-AC Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Box
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
temperatura di esercizio	125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	3-SPA
Pacchetto / caso	3-SIP

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 20000

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

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