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Rochester Electronics / IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

codice articolo del costruttore: IPI020N06NAKSA1
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche: IPI020N06NAKSA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieOptiMOS™
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C29A (Ta), 120A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 143µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7.8 pF @ 30 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 214W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3-1
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 20420

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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