Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK100E10N1,S1X
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TK100E10N1,S1X
| codice articolo del costruttore: | TK100E10N1,S1X |
| Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
| Schede tecniche: | TK100E10N1,S1X Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
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| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Pacchetto | Tube |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Stato delle scorte: 1504
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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