SI6473DQ-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI6473DQ-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Schede tecniche:	SI6473DQ-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.08W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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