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IR (Infineon Technologies) / IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF

codice articolo del costruttore: IRLHM630TRPBF
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Schede tecniche: IRLHM630TRPBF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieHEXFET®
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3170 pF @ 25 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.7W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePQFN (3x3)
Pacchetto / caso8-VQFN Exposed Pad
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 16000

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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