IMBF170R1K0M1XTMA1

codice articolo del costruttore:	IMBF170R1K0M1XTMA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Schede tecniche:	IMBF170R1K0M1XTMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	CoolSiC™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.2A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000mOhm @ 1A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 12 V
Vgs (massimo)	+20V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 1000 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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