STP9N65M2

codice articolo del costruttore:	STP9N65M2
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Schede tecniche:	STP9N65M2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	MDmesh™
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	315 pF @ 100 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3

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