TK7J90E,S1E

codice articolo del costruttore:	TK7J90E,S1E
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Schede tecniche:	TK7J90E,S1E Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	π-MOSVIII
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P(N)
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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