SIS892DN-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIS892DN-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Schede tecniche:	SIS892DN-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	611 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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