TK6P65W,RQ

codice articolo del costruttore:	TK6P65W,RQ
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Schede tecniche:	TK6P65W,RQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	DTMOSIV
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390 pF @ 300 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1857

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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