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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

codice articolo del costruttore: TK12A60U(Q,M)
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Schede tecniche: TK12A60U(Q,M) Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieDTMOSII
PacchettoTube
Stato della parteLast Time Buy
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 10 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
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Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

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