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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

codice articolo del costruttore: TK39A60W,S4VX
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Schede tecniche: TK39A60W,S4VX Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieDTMOSIV
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C38.8A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 300 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 44

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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