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codice articolo del costruttore: | SIHH11N65E-T1-GE3 |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8 |
Schede tecniche: | SIHH11N65E-T1-GE3 Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 650 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 363mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1257 pF @ 100 V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente