RM4N650LD

codice articolo del costruttore:	RM4N650LD
Produttore:	Rectron USA
Parte della descrizione:	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	46W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252-2
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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