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Vishay / Siliconix / SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

codice articolo del costruttore: SISS94DN-T1-GE3
Produttore: Vishay / Siliconix
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieTrenchFET®
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 100 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / casoPowerPAK® 1212-8S
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2657

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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