IPI530N15N3GXKSA1

codice articolo del costruttore:	IPI530N15N3GXKSA1
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,
Schede tecniche:	IPI530N15N3GXKSA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	OptiMOS™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 75 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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