PMT760EN,115

codice articolo del costruttore:	PMT760EN,115
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
Schede tecniche:	PMT760EN,115 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	160 pF @ 80 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 6.2W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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