SI7172DP-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI7172DP-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Schede tecniche:	SI7172DP-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NOTA: Vishay / Siliconix SI7172DP-T1-GE3 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.

Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 100 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2513

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

Modelli popolari

Questo articolo è stato aggiunto al tuo carrello.